RAM - Historie editací

Witcher v 26. 5. 2013, 19:07

2013-05-26T19:07:42Z

Witcher v 19. 5. 2013, 18:37

2013-05-19T18:37:01Z

Witcher v 19. 5. 2013, 18:20

2013-05-19T18:20:43Z

Witcher v 19. 5. 2013, 18:13

2013-05-19T18:13:05Z

Witcher v 19. 5. 2013, 18:00

2013-05-19T18:00:52Z

Witcher v 19. 5. 2013, 17:45

2013-05-19T17:45:43Z

Witcher v 19. 5. 2013, 17:24

2013-05-19T17:24:29Z

Witcher v 19. 5. 2013, 17:20

2013-05-19T17:20:48Z

Witcher v 19. 5. 2013, 17:16

2013-05-19T17:16:38Z

Witcher v 19. 5. 2013, 16:45

2013-05-19T16:45:49Z

@@ Řádek 53: / Řádek 53: @@
 Opět se očekává, že paměti typu DDR4 budou pracovat na vyšší frekvenci než předešlé typy a budou mít také nižší napájecí nároky.<ref>KAŇÁK, Aleš. CES 2013: Crucial ukázal první funkční vzorky operačních pamětí DDR4. ''PCTuning'' [online]. 10.1.2013 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4%20http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4 </ref>
-==Známý výrobci RAM<br/> ==
+==Známí výrobci RAM<br/> ==
 Kingston

@@ Řádek 9: / Řádek 9: @@
 == Random acces memory<br/> ==
-Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem.) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574 S. 45.</ref>
+Česky [[paměť]] s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem.) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u [[počítačů]]. ''„Mají většinou podobu [[integrovaného obvodu]], který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574 S. 45.</ref>
 === <span style="font-size:small">SRAM-Statická RAM</span><br/> ===
-Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S.93.</ref> Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívá hlavně u vyrovnávacích [[Cache pamětí]].
+Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S.93.</ref> Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívají hlavně u vyrovnávacích [[cache pamětí]].
 === <span style="font-size:small">DRAM-Dynamická RAM</span><br/> ===
-Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh. DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
+Tato paměť je realizována pomocí malých [[kondenzátorů]]. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku, oproti šesti tranzistorům u SRAM), díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Kvůli těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh. DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
 <br/>Existují i další typy RAM např. CMOS-RAM, Nano-RAM, PRAM a jiné, které se používají ve specializovaných případech nebo jsou ve vývoji.
@@ Řádek 35: / Řádek 35: @@
 '''SDRAM''' - Synchronous Dynamic RAM
-Předchůdkyně dnešních typů pamětí. Jedná se o synchronní paměť, která přenáší data na náběžné hraně pulsů paměťové sběrnice.&nbsp; Tyto paměti se používaly u základních desek do nástupu procesorů Intel Pentium 4 a krátce i po něm. U AMD ji najdeme na deskách pro procesory Duron a Athlon.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S. 94.</ref>
+Předchůdkyně dnešních typů pamětí. Jedná se o synchronní paměť, která přenáší data na náběžné hraně pulsů paměťové sběrnice. Tyto paměti se používaly u základních desek do nástupu procesorů Intel Pentium 4 a krátce i po něm. U procesorů AMD ji najdeme na deskách pro procesory Duron a Athlon.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S. 94.</ref>
 <span style="font-size:medium"><span style="font-size:small">'''DDR SDRAM'''</span></span> - Double Data Rate SDRAM

@@ Řádek 9: / Řádek 9: @@
 == Random acces memory<br/> ==
-Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem.) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574</ref>
+Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem.) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574 S. 45.</ref>
 === <span style="font-size:small">SRAM-Statická RAM</span><br/> ===
@@ Řádek 17: / Řádek 17: @@
 === <span style="font-size:small">DRAM-Dynamická RAM</span><br/> ===
-Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course''. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course''. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh. DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
+Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh. DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
 <br/>Existují i další typy RAM např. CMOS-RAM, Nano-RAM, PRAM a jiné, které se používají ve specializovaných případech nebo jsou ve vývoji.
@@ Řádek 76: / Řádek 76: @@
 PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML
-SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course''. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620.
+SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course'' [online]. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620.
 SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574
 </div>

@@ Řádek 23: / Řádek 23: @@
 == Parametry<br/> ==
-'''Kapacita''' &nbsp;– Velikost paměti, udává se v giga bytech. [GB]
+'''Kapacita''' – Velikost paměti, udává se v giga bytech. [GB]
-'''Časování''' – Doba potřebná k vyhledání adresy v paměti. Tento parametr bývá označován jako CL
+'''Časování''' – Doba potřebná k vyhledání adresy v paměti. Tento parametr bývá označován jako CL.
 '''Frekvence''' – Parametr, který určuje, kolik operací paměť udělá za časovou jednotku, udává se v mega hertzích za sekundu. [Mhz/s]
-'''Propustnost '''– ''„''''Datovou propustnost pamětí spočítáme takto: frekvence FSB x počet přenášených bajtů x počet<br/>paměťových kanálů.''" Udává se v giga bytech za sekundu. [GB/s]
+'''Propustnost''' – ''„Datovou propustnost pamětí spočítáme takto: frekvence FSB x počet přenášených bajtů x počet paměťových kanálů."''<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S. 95.</ref> Udává se v giga bytech za sekundu. [GB/s]
 == Typy RAM ==
@@ Řádek 43: / Řádek 43: @@
 '''DDR2'''
-Tyto paměti také pracují na náběžné i sestupné hraně řídících pulsů. Oproti DDR však mají poloviční spotřebu a dají se lépe taktovat. Dosahují větší frekvence než DDR
+Tyto paměti také pracují na náběžné i sestupné hraně řídících pulsů. Oproti DDR však mají poloviční spotřebu a dají se lépe taktovat. Dosahují větší frekvence než DDR.
 <span style="font-size:small">'''DDR3'''</span>
@@ Řádek 53: / Řádek 53: @@
 Opět se očekává, že paměti typu DDR4 budou pracovat na vyšší frekvenci než předešlé typy a budou mít také nižší napájecí nároky.<ref>KAŇÁK, Aleš. CES 2013: Crucial ukázal první funkční vzorky operačních pamětí DDR4. ''PCTuning'' [online]. 10.1.2013 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4%20http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4 </ref>
-== Výrobci RAM<br/> ==
+==Známý výrobci RAM<br/> ==
-Kingston [[Média:&lt;object width="560" height="315"&gt;<param name="movie" value="[http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0 http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0]">&lt;/param&gt;&lt;param name="allowFullScreen" value="true"&gt;&lt;/param&gt;&lt;param name="allowscriptaccess" value="always"&gt;&lt;/param&gt;<embed src="[http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0 http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0]" type="application/x-shockwave-flash" width="560" height="315" allowscriptaccess="always" allowfullscreen="true">&lt;/embed&gt;&lt;/object&gt;]] Corsair
+Kingston
 Patriot
@@ Řádek 68: / Řádek 70: @@
 == Použitá literatura<br/> ==
 </div>

@@ Řádek 23: / Řádek 23: @@
 == Parametry<br/> ==
-'''Kapacita''' &nbsp;– Velikost paměti, udává se v&nbsp;Giga Bytech.
+'''Kapacita''' &nbsp;– Velikost paměti, udává se v giga bytech. [GB]
-'''Časování''' -
+'''Časování''' – Doba potřebná k vyhledání adresy v paměti. Tento parametr bývá označován jako CL
-'''Frekvence''' – Parametr, který určuje, kolik operací paměť udělá za časovou jednotku, udává se v&nbsp;Mega Hertzích za sekundu.
+'''Frekvence''' – Parametr, který určuje, kolik operací paměť udělá za časovou jednotku, udává se v mega hertzích za sekundu. [Mhz/s]
-'''Propustnost -'''
+'''Propustnost '''– ''„''''Datovou propustnost pamětí spočítáme takto: frekvence FSB x počet přenášených bajtů x počet<br/>paměťových kanálů.''" Udává se v giga bytech za sekundu. [GB/s]
 == Typy RAM ==
@@ Řádek 55: / Řádek 55: @@
 == Výrobci RAM<br/> ==
-Kingston
+Kingston [[Média:&lt;object width="560" height="315"&gt;<param name="movie" value="[http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0 http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0]">&lt;/param&gt;&lt;param name="allowFullScreen" value="true"&gt;&lt;/param&gt;&lt;param name="allowscriptaccess" value="always"&gt;&lt;/param&gt;<embed src="[http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0 http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&version=3&rel=0]" type="application/x-shockwave-flash" width="560" height="315" allowscriptaccess="always" allowfullscreen="true">&lt;/embed&gt;&lt;/object&gt;]] Corsair
 Patriot

@@ Řádek 56: / Řádek 56: @@
 Kingston
-<iframe width="560" height="315" src="http://www.youtube.com/embed/EWDirCg-Wu8" frameborder="0" allowfullscreen></iframe>
+[[Média:<object width="560" height="315"><param name="movie" value="http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&amp;version=3&amp;rel=0"></param><param name="allowFullScreen" value="true"></param><param name="allowscriptaccess" value="always"></param><embed src="http://www.youtube.com/v/EWDirCg-Wu8?hl=cs_CZ&amp;version=3&amp;rel=0" type="application/x-shockwave-flash" width="560" height="315" allowscriptaccess="always" allowfullscreen="true"></embed></object>]]
 Corsair
@@ Řádek 66: / Řádek 65: @@
 A-DATA
 <div><br/>
-== Poznámky:<br/> ==
+== Poznámky<br/> ==
 <references />
-== Použitá literatura:<br/> ==
+== Použitá literatura<br/> ==
 </div>

@@ Řádek 9: / Řádek 9: @@
 == Random acces memory<br/> ==
-Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. Simplified computer hardware course [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574</ref>
+Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem.) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. ''Simplified computer hardware course'' [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574</ref>
 === <span style="font-size:small">SRAM-Statická RAM</span><br/> ===
-Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.<ref>HORÁK, Jaroslav. Hardware: učebnice pro pokročilé. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. </ref> Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívá hlavně u vyrovnávacích [[cache pamětí]].
+Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S.93.</ref> Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívá hlavně u vyrovnávacích [[cache pamětí]].
 === <span style="font-size:small">DRAM-Dynamická RAM</span><br/> ===
-Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve&nbsp;vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. Procesor (mikroprocesor). Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh.&nbsp; DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
+Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course''. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. ''Computer hardware course''. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. ''Vnitřní paměti''. Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh. DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
-Existují i další typy RAM např. CMOS-RAM[[#ftn9|[9]]], Nano-RAM[[#ftn10|[10]]], PRAM[[#ftn11|[11]]] a jiné které se používají ve specializovaných případech nebo jsou ve vývoji.
 == Parametry<br/> ==
@@ Řádek 35: / Řádek 36: @@
 '''SDRAM''' - Synchronous Dynamic RAM
-Předchůdkyně dnešních typů pamětí. Jedná se o synchronní paměť, která přenáší data na náběžné hraně pulsů paměťové sběrnice.&nbsp; Tyto paměti se používaly u základních desek do nástupu procesorů Intel Pentium 4 a krátce i po něm. U AMD ji najdeme na deskách pro procesory Duron a Athlon.[[#ftn12|[12]]]
+Předchůdkyně dnešních typů pamětí. Jedná se o synchronní paměť, která přenáší data na náběžné hraně pulsů paměťové sběrnice.&nbsp; Tyto paměti se používaly u základních desek do nástupu procesorů Intel Pentium 4 a krátce i po něm. U AMD ji najdeme na deskách pro procesory Duron a Athlon.<ref>HORÁK, Jaroslav. ''Hardware: učebnice pro pokročilé''. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. S. 94.</ref>
-<span style="font-size:medium"><span style="font-size:small">'''DDR SDRAM'''[[#ftn13|[13]]] </span>- Double Data Rate RAM</span>
+<span style="font-size:medium"><span style="font-size:small">'''DDR SDRAM'''</span>- Double Data Rate SDRAM</span>
-Tyto paměti jsou stejně jako SDRAM synchronní a dynamické. Avšak do oblasti operačních pamětí přinesly velký posun. Oproti SDRAM jsou totiž schopny přenášet data jak na náběžné tak na sestupné hraně řídících pulzů. Díky tomuto rozdílu jsou tedy schopny zdvojnásobit svoji frekvenci.
+Tyto paměti bývají také často označovány jen jako DDR nebo DDR RAM. Stejně jako SDRAM jsou synchroní a dynamické. Do oblasti operačních pamětí však přinesly velký posun. Oproti SDRAM jsou totiž schopny přenášet data jak na náběžné tak na sestupné hraně řídících pulzů. Díky tomuto rozdílu jsou tedy schopny zdvojnásobit svoji frekvenci.
 '''DDR2'''
@@ Řádek 51: / Řádek 52: @@
 <span style="font-size:small">'''DDR4'''</span>
-Opět se očekává, že paměti typu DDR4 budou pracovat na vyšší frekvenci než předešlé typy a budou mít také nižší napájecí nároky.[[#ftn14|[14]]]
+Opět se očekává, že paměti typu DDR4 budou pracovat na vyšší frekvenci než předešlé typy a budou mít také nižší napájecí nároky.<ref>KAŇÁK, Aleš. CES 2013: Crucial ukázal první funkční vzorky operačních pamětí DDR4. ''PCTuning'' [online]. 10.1.2013 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4%20http://pctuning.tyden.cz/component/content/article/1-aktualni-zpravy/26034-ces-2013-crucial-ukazal-prvni-funkcni-vzorky-operacnich-pameti-ddr4 </ref>
 == Výrobci RAM<br/> ==
@@ Řádek 67: / Řádek 67: @@
 ----
+Poznámky:
 <references/>

@@ Řádek 9: / Řádek 9: @@
 == Random acces memory<br/> ==
-Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. Simplified computer hardware course [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574 </ref>
+Česky paměť s přímým nebo libovolným přístupem. (Vzácněji také paměť s náhodným přístupem) Jedná se o polovodičové paměti využívané převážně u počítačů. ''„Mají většinou podobu integrovaného obvodu, který umožňuje, aby se k uloženým&nbsp;datům přistupovalo v&nbsp;jakémkoliv pořadí. Slovo náhodný tak odkazuje na skutečnost, že k&nbsp;jakýmkoliv datům se dá dostat v&nbsp;konstantním čase nehledě na jejich fyzické umístění a na to zda jsou nebo nejsou v souvislosti s předchozími daty“''<ref>SINGH, Vishnu Priya. Simplified computer hardware course [online]. 1st ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009 [cit. 2013-05-19]. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417574</ref>
 === <span style="font-size:small">SRAM-Statická RAM</span><br/> ===
-Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v&nbsp;logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v&nbsp;rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.[[#ftn3|[3]]]&nbsp; Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívá hlavně u vyrovnávacích [[cache pamětí]].
+Tento typ RAM je realizován pomocí bistabilních klopných obvodů. Tyto obvody se mohou nacházet pouze ve dvou stavech v logické 1 a v logické 0. Přístupová doba je v rozpětí 7,5 až 15 nanosekund.<ref>HORÁK, Jaroslav. Hardware: učebnice pro pokročilé. 3., aktualiz. vyd. Brno: CP Books, 2005, 344 s. ISBN 80-251-0647-0. </ref> Jedná se o volatilní paměť, která po odpojení od napájení ztrácí svůj obsah. SRAM se dnes využívá hlavně u vyrovnávacích [[cache pamětí]].
 === <span style="font-size:small">DRAM-Dynamická RAM</span><br/> ===
-Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve&nbsp;vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů.[[#ftn4|[4]]] &nbsp;Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620 </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620 </ref>] Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.[[#ftn7|[7]]] Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh.&nbsp; DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v&nbsp;DIM Modulech[[#ftn8|[8]]]. &nbsp;Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
+Tato paměť je realizována pomocí malých kondenzátorů. Tyto kondenzátory představují v nabytém stavu logickou 1 a ve&nbsp;vybytém stavu logickou 0. Nevýhodou těchto pamětí je, že kondenzátory rychle ztrácí svůj náboj, proto je potřeba jejich náboj obnovovat, toto se provádí pomocí refresh pulzů. (česky: občerstvování) Podle výrobců tento refresh probíhá každých 64 milisekund nebo častěji.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 50. </ref> Na rozdíl od SRAM jsou tyto paměti realizovány velmi jednoduše (stačí jeden kondenzátor a jeden tranzistor na paměťovou buňku oproti šesti tranzistorům u SRAM) díky čemuž dosahují při výrobě velké hustoty.<ref>SINGH, Vishnu P a Meenakshi SINGH. Computer hardware course. 9th rev. ed. New Delhi, India: Computech Publications, Ltd., 2009, 312 p. Dostupné z: http://site.ebrary.com/lib/masaryk/Doc?id=10417620. S. 49. </ref> Díky těmto vlastnostem jsou DRAM levnější a dosahují větších kapacit. Jejich nevýhodou je naopak vyšší přístupová doba, ta se pohybuje v&nbsp;rozmezí od 60 do 70 nanosekund.<ref>PELIKÁN, Jaroslav. Procesor (mikroprocesor). Fakulta informatiky Masarykovy univerzity [online]. 1998 [cit. 2013-05-19]. Dostupné: http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML</ref> Toto zpoždění je zapříčiněno nutností vykonávat refresh.&nbsp; DRAM se dnes nejčastěji používají jako operační paměti PC. Dostupné jsou v DIM Modulech (Dual Inline Memory Module, ty se používaly pro SDRAM, DDR DIMM - Double Data Rate DIMM se používaly pro DDRRAM, DDR2 DIMM pro DDR2 paměti a takto dále i pro DDR3.) Stejně jako předchozí typ je i DRAM volatilní.
 Existují i další typy RAM např. CMOS-RAM[[#ftn9|[9]]], Nano-RAM[[#ftn10|[10]]], PRAM[[#ftn11|[11]]] a jiné které se používají ve specializovaných případech nebo jsou ve vývoji.
@@ Řádek 68: / Řádek 68: @@
-<div id="ftn7">
+<div id="ftn8">
-[[#ftnref7|[7]]] [http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/INTPAM.HTML]
+[[#ftnref8|[8]]] DIMM -
 </div><div id="ftn9">
 [[#ftnref9|[9]]] Complementary metal oxid silicon RAM